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专利：微电子应用中化学镀沉积的缺陷控制
申请（专利）号:CN200680042540.X申请日:2006.09.19
公开（公告）号:CN101506953公开（公告）日:2009.08.12
主分类号:H01L21/3205(2006.01)I
分类号:H01L21/3205(2006.01)I
优先权:2005.9.20US11/230,912;2005.10.5US11/243,876
申请（专利权）人:恩索恩公司
地址:美国康耐提格西海文市
国省代码:美国;US
发明（设计）人:陈青云;查尔斯·巴尔韦德;文森特·派纳卡西奥;尼古拉·彼德罗夫;丹尼尔·斯屈奇;克里斯蒂安·威特;理查德·赫图欠斯
国际申请:2006-09-19PCT/US2006/036479
国际公布:2007-03-29WO2007/035731英
进入国家日期:2008.05.14
专利代理机构:北京金之桥知识产权代理有限公司
代理人:梁朝玉
摘要:
微电子装置制造中用于化学镀沉积Co、Ni、或其合金到基材上的方法及组合物。用于化学镀Co和Ni沉积溶液的晶粒精化剂、整平剂、除氧剂、及稳定剂。
主权项:
1.一种在微电子装置制造中用于使Co、Ni、或其合金化学镀沉积于基材上的化学镀沉积组合物，该沉积组合物包含
(a)一种选自由Co离子及Ni离子组成的组中的沉积离子源；及(b)一种或多种选自下列内容的添加剂：
(i)晶粒精化剂，包括选自由多磷酸、多磷酸盐、及其混合物组成的组中的晶粒精化剂化合物；
(ii)稳定剂，选自由氨基苯甲酸、羟基苯甲酸、氧化钼、氧化钒、氧化铼、其盐、其衍生物、及其混合物组成的组中；
(iii)整平剂，选自由二苯基氧二磺酸、月桂基硫酸酯的三乙醇胺盐、十二烷基醚硫酸铵、烷基苯磺酸盐、十二烷基苯磺酸、烷基二苯基氧二磺酸盐、低分子量聚丙二醇、及其混合物组成的组中；及(iv)除氧剂，选自由SO32-、HSO32-、氢醌、儿茶酚、间苯二酚、肼及其混合物组成的组中。
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